DXT2013P5-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DXT2013P5-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	0.74 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	5 at - 10 A, - 1 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 10 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 340 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 7 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	125 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DXT201
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerDI-5

Метки: