PEMZ7,315

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PEMZ7,315
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 12V 300mW NPN/PNP gen purpose transist

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	15 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	420 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	8000
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-666

Метки: