MJD3055T4

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: MJD3055T4
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur Switch

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	20 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	20
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	100
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	10 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	70 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	2 MHz
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	MJD3055
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-252

Метки: