SSTA13T116

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: SSTA13T116
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
SSTA13T116 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT SURFACE NPN DARL

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	5000
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	5000 at 10 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.3 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	125 MHz
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SSTA13
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: