PBSS5130PAP,115

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PBSS5130PAP,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 30V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1450 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	250
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	350
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 2 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 85 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 7 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	125 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DFN2020-6

Метки: