+7(8482)93-11-33
+79277730386
EMX26T2R
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: EMX26T2R
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: EMX26T2R
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| EMX26T2R Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 6PIN
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541290000 |
| Высота | 0.5 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Код HTS | 8541290095 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 820 at 1 mA at 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Ширина | 1.2 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | EMX26 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 820 at 1 mA at 5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | EMX26 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| CNHTS | 8541290000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541290000 |
Страница создана за 0.195 секунд.