+7(8482)93-11-33
+79277730386
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 770 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 300 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 120 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 95 MHz |
Производитель | NXP |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | SOT-223 |