+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
EMZ51T2R Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 400 MHz, 350 MHz |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вес изделия | 3 mg |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | EMZ51 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA, - 200 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 120 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Производитель | ROHM Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Технология | Si |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | SOT-563-6 |