FZT1151ATA

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: FZT1151ATA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT PNP High Gain & Crnt

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	2.5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	270 at 10 mA at 2 V, 250 at 500 mA at 2 V, 180 at 2 A at 2 V, 100 at 3 A at 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	270
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	145 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FZT115
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223

Метки: