FJBE2150DTU

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FJBE2150DTU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	110 W
Вес изделия	1.880 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	20
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	35
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	1.25 kV
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	800 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	12 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	5 MHz
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FJBE2150D
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	D2PAK-2

Метки: