IMT1AT110

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: IMT1AT110
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IMT1AT110 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457

Биполярные транзисторы - BJT
TARIC (Единый тариф ЕЭС)	8541290000
Высота	1.1 mm
Длина	2.9 mm
Код HTS	8541290095
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Непрерывный коллекторный ток	- 150 mA
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	140 MHz
Ширина	1.6 mm
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	IMT1A
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.15 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 6 V
Полярность транзистора	PNP
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999
TARIC (Единый тариф ЕЭС)	8541290000

Метки: