2SK2009TE85LF

2SK2009TE85LF

2SK2009TE85LF
Производитель: Toshiba
Номер части: 2SK2009TE85LF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
2SK2009TE85LF Лист данных скачать
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V
РЧ МОП-транзисторы
Id - непрерывный ток утечки 200 mA
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта РЧ МОП-транзисторы
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 100 mS
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Toshiba
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип RF Small Signal MOSFET
Торговая марка Toshiba
Упаковка Reel
Упаковка / блок SOT-346
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.142 секунд.