+7(8482)93-11-33
+79277730386
Фототранзисторы | |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | - |
Время спада | - |
Выходной ток | - |
Длина волны | 850 nm |
Другие названия товара № | Q62702P1668 |
Категория продукта | Фототранзисторы |
Максимальная рабочая температура | + 100 C |
Максимальный ток коллектора во включенном состоянии | 50 mA |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 70 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 70 V |
Продукт | Phototransistors |
Производитель | Osram Opto Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Слабый ток | 630 uA |
Темновой ток | 200 nA |
Тип | Silicon NPN Phototransistor |
Торговая марка | OSRAM Opto Semiconductors |
Упаковка / блок | T-1 3/4 |