+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
IPB80N03S4L03ATMA1 Лист данных | скачать |
МОП-транзистор | |
Высота | 4.4 mm |
Длина | 10 mm |
Квалификация | AEC-Q101 |
Ширина | 9.25 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
Pd - рассеивание мощности | 136 W |
Qg - заряд затвора | 140 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вес изделия | 4 g |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 9 ns |
Время спада | 13 ns |
Другие названия товара № | IPB80N03S4L-03 IPB8N3S4L3XT SP000274982 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | Infineon |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | XPB80N03 |
Технология | Si |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 62 ns |
Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
CNHTS | 8541290000 |
MXHTS | 85412999 |
TARIC | 8541290000 |