2SB815-7-TB-E

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SB815-7-TB-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 0.7A 15V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	300
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	600
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 1.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 15 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 15 mV, - 60 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	250 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2SB815
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	CP-3

Метки: