PBHV8215Z,115

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PBHV8215Z,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 150V 2A NPN HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1.45 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	55
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	240
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	4 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	350 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	150 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	33 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	1000
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223

Метки: