+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
2SCR523V1T2L Лист данных (PDF) | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT | |
Подкатегория | Transistors |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Полярность транзистора | NPN |
Производитель | ROHM Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Технология | Si |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Cut Tape, MouseReel, Reel |
CAHTS | 8541290000 |
CNHTS | 8541290000 |
ECCN | EAR99 |
JPHTS | 8541290100 |
KRHTS | 8541299000 |
MXHTS | 85412999 |
TARIC | 8541290000 |
USHTS | 8541290095 |