+7(8482)93-11-33
+79277730386
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 3 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 50 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 1.6 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Производитель | ON Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 100 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-39 |