SiS780DN-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SiS780DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Время выполнения производителем: 12 недель
Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

В закладки
В сравнение

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
SIS780DN-T1-GE3 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts

МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Тип продукта	MOSFET
Id - непрерывный ток утечки	18 A
Pd - рассеивание мощности	27.7 W
Qg - заряд затвора	24.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	13.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	18 ns
Время спада	10 ns
Другие названия товара №	SIS780DN-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET, PowerPAK
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	25 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIS
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	10 ns
Типичное время задержки при включении	9 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Cut Tape, MouseReel, Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8
CAHTS	8541290000
CNHTS	8541290000
ECCN	EAR99
JPHTS	8541290100
KRHTS	8541299000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000
USHTS	8541290095

Метки:

Корзина покупок

SiS780DN-T1-GE3

Информация

Служба поддержки

Дополнительно

Личный Кабинет