+7(8482)93-11-33
+79277730386
NJVMJD31CT4G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJVMJD31CT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NJVMJD31CT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 100V TR
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 10 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | MJD31C |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | DPAK |
Страница создана за 0.145 секунд.