IPD110N12N3GATMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPD110N12N3GATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор MV POWER MOS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	75 A
Pd - рассеивание мощности	136 W
Qg - заряд затвора	49 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	9.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	120 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	16 ns
Время спада	8 ns
Другие названия товара №	G IPD110N12N3 SP001127808
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	83 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Технология	-
Типичное время задержки выключения	24 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-252-3

Метки: