HN1C01FE-Y,LF

Производитель: Toshiba
Номер части: HN1C01FE-Y,LF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Small Signal Amp

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	100 mW
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	80 MHz
Производитель	Toshiba
Технология	Si
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel

Метки: