SIS890DN-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIS890DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	30 A
Pd - рассеивание мощности	52 W
Qg - заряд затвора	9.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	23.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	3 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	SIS890DN-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	ThunderFET TrenchFET
Конфигурация	Dual
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SISxxxDN
Тип транзистора	2 N-Channel
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8

Метки: