+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
SI8472DB-T2-E1 Лист данных | скачать |
МОП-транзистор | |
Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
Qg - заряд затвора | 6.8 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 44 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | Vishay |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | MicroFoot-4 |