NTJD4105CT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NTJD4105CT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	630 mA
Pd - рассеивание мощности	270 mW
Qg - заряд затвора	1.3 nC, 2.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	375 mOhms, 300 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V, - 8 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V, 8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	227 nS, 23 nS
Время спада	506 nS, 36 nS
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	N-Channel, P-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	2 S, 2 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	NTJD4105C
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	786 nS, 50 nS
Типичное время задержки при включении	83 nS, 13 nS
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-363-6

Метки: