SI4925DDY-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI4925DDY-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	7.3 A
Pd - рассеивание мощности	2.5 W
Qg - заряд затвора	32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	29 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	8 ns, 35 ns
Время спада	12 ns, 16 ns
Другие названия товара №	SI4925DDY-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual Dual Drain
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	2500
Тип транзистора	2 P-Channel
Типичное время задержки выключения	45 ns, 40 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns, 42 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOIC-Narrow-8

Метки: