SIZ902DT-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIZ902DT-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 16/16A 29/66W 12/6.4mOhms @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	16 A
Pd - рассеивание мощности	66 W
Qg - заряд затвора	6.8 nC, 21 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	10 mOhms, 5.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12 nS, 10 nS
Время спада	10 nS, 10 nS
Другие названия товара №	SIZ902DT-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIZxxxDT
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	20 nS, 35 nS
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	WDFN-8

Метки: