DSM80100M-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DSM80100M-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT PNP Trans Dual 400mW Switching -80V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	600 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120 at - 10 mA, - 1 V
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	500 at - 10 mA at - 1 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 1 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 4 V
Полярность транзистора	PNP
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DSM801
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-26-6

Метки: