IXFN56N90P

Производитель: IXYS
Номер части: IXFN56N90P
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	56 A
Pd - рассеивание мощности	1 kW
Qg - заряд затвора	375 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	135 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	900 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V to 6.5 V
Вес изделия	38 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	80 ns
Время спада	38 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HyperFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	44 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	10
Серия	IXFN56N90
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	93 ns
Типичное время задержки при включении	74 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-227-4

Метки: