SI5517DU-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI5517DU-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	7.2 A
Pd - рассеивание мощности	2.3 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	32 mOhms, 60 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	65 ns, 35 ns
Время спада	10 ns, 55 ns
Другие названия товара №	SI5517DU-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	1 N-Channel, 1 P-Channel
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	40 ns, 40 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns, 8 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-8

Метки: