MMBT3906LT3G

MMBT3906LT3G

MMBT3906LT3G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: MMBT3906LT3G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
MMBT3906LT3G Лист данных (PDF) скачать
Биполярные транзисторы - BJT 200mA 40V PNP
Биполярные транзисторы - BJT
Высота 0.94 mm
Длина 2.9 mm
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 60
Непрерывный коллекторный ток - 0.2 A
Подкатегория Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 250 MHz
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Ширина 1.3 mm
Pd - рассеивание мощности 225 mW
Вес изделия 8 mg
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.2 A
Минимальная рабочая температура - 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.4 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Полярность транзистора PNP
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 10000
Серия MMBT3906L
Технология Si
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Упаковка / блок SOT-23-3
CAHTS 8541210000
CNHTS 8541210000
ECCN EAR99
JPHTS 8541210101
KRHTS 8541219000
MXHTS 85412101
TARIC 8541210000
USHTS 8541210095
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.162 секунд.