SI4511DY-T1-E3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI4511DY-T1-E3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор +20/-20V +9.6/-6.2A

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	7.2 A
Pd - рассеивание мощности	1.1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	145 mOhms, 33 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+ /- 16 V, 12 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12 ns, 30 ns
Время спада	12 ns, 30 ns
Другие названия товара №	SI4511DY-E3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	1 N-Channel, 1 P-Channel
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	SI45xxxY
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	55 ns, 70 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns, 25 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOIC-Narrow-8

Метки: