2SC3326BTE85LF

Производитель: Toshiba
Номер части: 2SC3326BTE85LF
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 3000

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	1200
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальный постоянный ток коллектора	300 mA
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.042 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	25 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	30 MHz
Производитель	Toshiba
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-346

Метки: