SIHP18N50C-E3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIHP18N50C-E3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 560V 18A 223W 270mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	18 A
Pd - рассеивание мощности	223 W
Qg - заряд затвора	65 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	225 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	27 ns
Время спада	44 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	6.4 S
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	E
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	32 ns
Типичное время задержки при включении	80 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: