SI3552DV-T1-E3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI3552DV-T1-E3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 2.5/1.8A

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	2.5 A
Pd - рассеивание мощности	1.15 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	105 mOhms, 175 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9 ns, 12 ns
Время спада	5 ns, 7 ns
Другие названия товара №	SI3552DV-E3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	1 N-Channel, 1 P-Channel
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	13 ns, 12 ns
Типичное время задержки при включении	7 ns, 8 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSOP-6

Метки: