SI1480DH-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI1480DH-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 100V 200mOhm@10V 2.3A N-Ch

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	2.6 A
Pd - рассеивание мощности	2.8 W
Qg - заряд затвора	1.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.6 V to 3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	45 ns
Время спада	13 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	ThunderFET TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	3.7 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	10 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-363-6

Метки: