Si7613DN-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: Si7613DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 35A 52.1W 8.7mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	17 A
Pd - рассеивание мощности	3.8 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	8.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	16 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	40 ns, 7 ns
Время спада	13 ns, 9 ns
Другие названия товара №	SI7613DN-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Quad Drain Triple Source
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	41 ns, 42 ns
Типичное время задержки при включении	43 ns, 14 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8

Метки: