KSD261CGTA

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: KSD261CGTA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	0.5 W
Вес изделия	240 mg
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	KSD261CGTA_NL
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.18 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	KSD261
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Ammo Pack
Упаковка / блок	TO-92-3 Kinked Lead

Метки: