2SC5415AE-TD-E

2SC5415AE-TD-E

2SC5415AE-TD-E
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SC5415AE-TD-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Биполярные транзисторы - BJT ULAHIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности 800 mW
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe 90
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 uA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 6.7 GHz
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2SC5415A
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Reel
Упаковка / блок PCP-3
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.139 секунд.