+7(8482)93-11-33
+79277730386
NJVMJD50T4G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJVMJD50T4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 22 недель
Номер части: NJVMJD50T4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 22 недель
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| NJVMJD50T4G Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1A 400V TR
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 200 mA, 10 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 10 MHz |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 150 at 300 mA, 10 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 500 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | MJD50 |
| Технология | Si |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| CAHTS | 8541290000 |
| CNHTS | 8541290000 |
| ECCN | EAR99 |
| JPHTS | 8541290100 |
| KRHTS | 8541299000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
Страница создана за 0.151 секунд.