NJVNJD2873T4G

NJVNJD2873T4G

NJVNJD2873T4G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJVNJD2873T4G
Нормоупаковка: 2500 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 2500
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности 15 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 360
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 65 MHz
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 2500
Серия NJVNJD2873T4G
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Reel
Упаковка / блок D-PAK
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.143 секунд.