KSD363RTU

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: KSD363RTU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	40000 mW
Вес изделия	1.800 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	40
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	6 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	300 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	120 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	8 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	10 MHz
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	KSD363
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: