NJVMJD210T4G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJVMJD210T4G
Нормоупаковка: 2500 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 2500

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
NJVMJD210T4G Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	12.5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	45 at 2 A at 1 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	180 at 2 A at 1 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	10 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.8 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	8 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	65 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	MJD210
Технология	Si
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DPAK-4

Метки: