SIS415DNT-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIS415DNT-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V .004ohm@10V 35A P-Ch G-III

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 22.6 A
Pd - рассеивание мощности	3.7 W
Qg - заряд затвора	180 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	38 ns
Время спада	25 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	70 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SISxxxDN
Типичное время задержки выключения	82 ns
Типичное время задержки при включении	37 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPak-1212-8

Метки: