SIJ470DP-T1-GE3

Производитель: Vishay / Siliconix
Номер части: SIJ470DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	58.8 A
Pd - рассеивание мощности	56.8 W
Qg - заряд затвора	36.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	9.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	8 ns
Время спада	7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	ThunderFET TrenchFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	Power MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	22 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8

Метки: