+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
2SC5200N(S1,E,S) Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 35 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 15 A |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 230 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 230 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 30 MHz |
Производитель | Toshiba |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | TO-3P-3 |