IPD30N03S2L20ATMA1
Описание |
действие |
IPD30N03S2L20ATMA1 Лист данных |
скачать |
МОП-транзистор N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS
МОП-транзистор |
Высота |
2.3 mm |
Длина |
6.5 mm |
Квалификация |
AEC-Q101 |
Ширина |
6.22 mm |
Id - непрерывный ток утечки |
30 A |
Pd - рассеивание мощности |
60 W |
Qg - заряд затвора |
19 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток |
14.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток |
30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток |
20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток |
1.2 V |
Вес изделия |
4 g |
Вид монтажа |
SMD/SMT |
Время нарастания |
15 ns |
Время спада |
10 ns |
Другие названия товара № |
IPD30N03S2L-20 IPD3N3S2L2XT SP000254466 |
Канальный режим |
Enhancement |
Категория продукта |
МОП-транзистор |
Количество каналов |
1 Channel |
Коммерческое обозначение |
OptiMOS |
Конфигурация |
Single |
Максимальная рабочая температура |
+ 175 C |
Минимальная рабочая температура |
- 55 C |
Полярность транзистора |
N-Channel |
Производитель |
Infineon |
Размер фабричной упаковки |
2500 |
Технология |
Si |
Тип транзистора |
1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения |
19 ns |
Типичное время задержки при включении |
5 ns |
Торговая марка |
Infineon Technologies |
Упаковка |
Reel |
Упаковка / блок |
TO-252-3 |
CNHTS |
8541290000 |
MXHTS |
85412999 |
TARIC |
8541290000 |