SI4532CDY-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI4532CDY-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	6 A
Pd - рассеивание мощности	2.78 W
Qg - заряд затвора	6 nC, 7.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	38 mOhms, 73 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12 nS, 13 nS
Время спада	6 nS, 7.7 nS
Другие названия товара №	SI4532CDY-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual Dual Drain
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	7 S, 7 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	2500
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	14 nS, 17 nS
Типичное время задержки при включении	7 nS, 5.5 nS
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOIC-Narrow-8

Метки: