+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
SMMBT3904TT1G Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 300 MHz |
Производитель | ON Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SMMBT3904TT1G |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | SOT-416 |