GS66508P-E05-TY

Производитель: GaN Systems
Номер части: GS66508P-E05-TY
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
GS66508P-E05-TY Лист данных	скачать

МОП-транзистор 650V 30A E-Mode GaN Preproduction Units

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	30 A
Qg - заряд затвора	6.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.6 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	GaN Systems
Торговая марка	GaN Systems
Упаковка	Tray

Метки:

Страница создана за 0.518 секунд.